近期，全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图，其中3nm工艺就有5种之多，2025年将推出2nm工艺，用上GAA（Gate-All-Around）晶体管技术。
晶体管技术提升点在于，能耗减少，转化率提升。根据台积电的说法，相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10-15%；相同速度下，功耗降低25-30%。
台积电数据似乎尚未达到媒体要求，至少依据摩尔定律来计算，还是慢了点。
2nm工艺的难度显然成了一个挑战，这让台积电未来的密度提升越来越难，不过对竞争对手来说，却有了追赶的机会。
2022年投资者大会上，Intel高管也在路线上图作了对比：从Intel 4开始，它对应的是台积电的7nm工艺，Intel 3工艺对应的是6nm工艺，20A工艺则是对标的台积电5nm工艺，至于18A工艺，Intel没有标记，没找到合适的对手。以此推断，应该是5nm工艺之后，更加有效的制程。
台积电在5nm之后还会有4nm、3nm及2nm，不过3nm及之前都还是FinFET晶体管工艺，2nm工艺才上GAA，技术代差才会缩小一些。
从Intel的工艺对标来看，2024年下半年投产18A工艺会让Intel在竞争中重新找回优势，这方面很自信。
此外，三星使用GAA晶体管比台积电要激进，预计将该技术使用在3nm工艺。
根据三星的计划，3nm GAA工艺预计会在6月份就试验性量产，相比5nm工艺，该工艺的性能提升15%，功耗降低30%，芯片面积减少35%。从参数上看，进站要好于台积电。
三星也将2nm GAA工艺的量产时间定在2025年，与台积电几乎同步，这也是三星近年来首次的新工艺量产上追上台积电，此前都要慢上1-2年，导致缺乏竞争力。
沪公安联网 31011502019103